知识产权市场询价公告——通过水解离进行太阳能制氢的混合装置及其制造方法等6件中国发明专利转让

公告信息：

询价单位

华南登录解锁

项目名称

******太阳能制氢的混合装置及其制造方法等*件中国发明专利转让

项目编号

**登录解锁

拟交易方式

转让

项目介绍

项目主要******太阳能制氢的混合装置及其制造方法等*件中国发明专利转让，专利清单信息如下：

（******太阳能制氢的混合装置及其制造方法（************.X）；中国发明专利-已授权

专利摘要：本发明涉及*种将光电阳极与商用硅光伏电池单片集成的混合装置，商用硅光伏电池包括p型硅层和n型硅层，其中p型硅层和n型硅层均具有对应于硅晶体的(***)晶面的主暴露表面，光电阳极包括在p型硅层的(***)晶面上生成的SiNx中间层，在SiNx中间层上外延生长的c面InGaN层，以及在所述InGaN层的暴露表面上生成的InN量子点。该混合装置能够在被可见光或紫外光照射时将水分解成氢和氧。本发明还涉及制造该混合装置的方法。

（*）*种InGaN外延层及其制造方法（************.*）；中国发明专利-已授权

专利摘要：本发明提供了*种在Si衬底上制备InGaN外延层的方法以及通过该方法生产的硅基InGaN外延层。本发明的方法包括以下步骤：*)在Si衬底上直接生长第*InGaN层；和，*)在所述第*InGaN层上生长第*InGaN层。

（*）外延晶片、外延晶片制造方法、*极管及整流器（************.*）；中国发明专利-已授权

专利摘要：本申请提供*种外延晶片、外延晶片制造方法、*极管及整流器，其中，外延晶片中包括Si基底层；形成于所述Si基底层的绝缘层；形成于所述绝缘层远离所述Si基底层的*面的氮化物半导体层；其中，所述绝缘层的厚度构造成在正向偏置电压下，该绝缘层可以允许电子和空穴通过量子隧穿从该绝缘层*侧穿至另*侧与相应的空穴和电子复合，从而允许正向电流流动。在反向偏向下，该绝缘层可以阻碍自由电子和空穴的形成，从而阻塞反向电流。如此，使外延晶片具有了仅允许电流单向通过的特性，可以被制作成如*极管等于整流器件。

（*）外延片及其制造方法以及电化学传感器（************.*）；中国发明专利-已授权

专利摘要：本申请提供了*种外延片及其制造方法以及电化学传感器，其中外延片包括：衬底；InGaN层片，形成于所述衬底的*侧表面，其In含量在**％和**％之间，以确保从带负电的表面态到带正电的表面态的转变发生在组成范围内；InN层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的*侧表面上，以用作所述InGaN层片的表面电荷的稳定层。In含量在**％和**％之间的InGaN层片允许产生独立于待测溶液浓度的电化学响应；另外，高密度本征带正电表面态的InN层片进*步提高了本实施例参比电极的电化学稳定性，InGaN层片和InN层片的结合进*步使得应用本申请外延片的参比电极能够具有稳定电化学响应。

（*）InGaN基LED外延片及其制备方法（************.*）；中国发明专利-已授权

专利摘要：本发明提供了*种InGaN基LED外延片及其制备方法，其中InGaN基LED外延片包括：衬底；InGaN层片，形成于所述衬底的*侧表面，其In含量在**％至**％之间，以确保所述LED外延片能够发射长波长光或近红外射线；p型金属氧化物层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的*侧表面上，以用作对所述InGaN层片的空穴注入层。由于p型金属氧化物(特别是Cu*O)可以容易地实现高p型导电性，实现很高的空穴迁移率，因此本发明中的p型金属氧化物层片可以有效地用作InGaN层片的空穴注入层，从而避免使用现有技术中的宽带隙低In含量的p型InGaN或纯GaN作为空穴注入层。

（*）InGaN基双波长光电探测外延晶片、制备方法和光触发布尔逻辑门器件（************.X）；中国发明专利-已受理

专利摘要：本发明提供了*种InGaN基双波长光电探测外延晶片、制备方法和光触发布尔逻辑门器件，涉及半导体光电探测器技术领域，该外延晶片包括衬底、nGaN纳米线段、功能吸收器和透明导电层，功能吸收器包括nInGaN纳米线段和pInxGaN纳米线段，并具有轴向异质结构，用于对不同波长的光束产生相反极性的光电流。相较于现有技术，本发明为入射光波长区分提供了理想的参数，以为******nInGa******pInxGaN纳米线段中产生的光电流的两个极性提供能量增益，配合电子反相器，能够实现全套光触发布尔逻辑门的功能。

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