关于中国科学院上海技术物理研究所铟镓砷焦平面用读出电路晶圆的单一来源方式采购公示

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关于中国铟镓砷焦平面用读出电路晶圆的单*来源方式采购公示

来源: 时间:****-**-**

采购人:中国

地址*********号

*、采购项目名称:铟镓砷焦平面用读出电路晶圆

*、资金来源:项目资金,已落实

*、项目背景:

读出电路晶圆为短波红外焦平面探******分。中国完成电路设计后,委托******生产加工,加工工艺的技术水平直接决定了读出电路最终的核心性能指标,从而影响整个红外焦平面的性能。

*、采用单*来源方式采购方式的原因及相关说明:

大阵列铟镓砷焦平面用读出电路规模为*********距**微米,整个电路尺寸约为**mm×**mm。该尺寸远超过现有典型的CMOS流片工艺单次Stepper曝光最大尺寸,因此须采用多次曝光/光刻的Stitching缝合流片工艺,其技术风险和难度较大。

在读出电路开展设计时************具体工艺技术对接和详细设计。项目超大规模读出电路工艺指标、定制化专有工艺约束,需要具备全套******业专家技术论证,可实现本项目加工的供应商为无锡。为了降低电路流片失败风险,避免重复流片造成的制造成本增加,有效保障短波红外探测器研制任务的质量和进度,特申请采用单*来源方式采购。

供应商名称:无锡

地址******路*号

*:公示意见:****年*月*日至****年*月**日

潜在采购供应商对公示内容有异议的,请在公示期内以书面形式(包括联系人、地址******至中国(z***************sitp.ac.cn)

*、采购人联系方式

地址*********号

联系人:祝

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